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CS2570S：高壓硅堆/二極管綜合評(píng)測專家，專攻pA級(jí)漏電流檢測與導(dǎo)通壓降精準(zhǔn)分析！

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發(fā)布時(shí)間：2025-08-07

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高壓硅堆及高壓整流二極管等單向?qū)惼骷诂F(xiàn)代新能源領(lǐng)域扮演著非常重要的角色，在電源轉(zhuǎn)換和能量傳送等環(huán)節(jié)一方面承載著大功率的電能傳輸，同時(shí)也存在著占比非常大的能量損耗。高壓硅堆及高壓二極管的反向漏電流和正向壓降是兩個(gè)非常重要的指標(biāo)，決定了器件在工作中的可靠性和效率，而我們研制的CS2570S系列新一代硅堆綜合測試儀應(yīng)運(yùn)而生，為單向?qū)惼骷臏y試提供了高效綜合的解決方案。

現(xiàn)代新能源向著更高的功率、更高的效率和更高的電壓方向發(fā)展，這就要求高壓硅堆及高壓二極管具有更高的反向工作電壓和更小的反向漏電流，同時(shí)具備更高的正向電流和更低的正向?qū)▔航?。因此，我們在設(shè)計(jì)高壓硅堆的反向漏電流的測試范圍時(shí)，將最小漏電流的測試分辨率向下延伸到幾個(gè)pA或十幾個(gè)pA，提高高壓硅堆及高壓二極管的反向漏電流的測試能力，同時(shí)以10kV為起點(diǎn)，提供更高電壓的系列化產(chǎn)品。正向?qū)▔航禍y試，輸出測試電流從1mA到2A，基本滿足大多數(shù)高壓硅堆及高壓整流二極管的基本需求。高壓硅堆綜合測試儀除了可以進(jìn)行單點(diǎn)測試，還可以進(jìn)行多點(diǎn)掃描測試，并具有特性曲線圖形化顯示功能。

性能特點(diǎn)開啟精準(zhǔn)量化測試

1. 超高精度電流檢測

反向漏電流分辨率：10pA（皮安級(jí)）

正向電流寬范圍測試：1mA~2A（覆蓋微功耗至大功率器件）

2. 行業(yè)領(lǐng)先的高壓穩(wěn)定性

DCW輸出紋波系數(shù) <0.1%（10kV/2mA工況）

提供純凈無干擾的高壓環(huán)境，確保敏感器件測試準(zhǔn)確性

3. 智能化數(shù)據(jù)管理

? 測試數(shù)據(jù)自動(dòng)保存，支持U盤一鍵導(dǎo)出/導(dǎo)入

兼容CSV格式批量導(dǎo)入測試方案（高效匹配產(chǎn)線需求）

正反向特性曲線圖形顯示功能（可視化分析器件性能）

4. 高效交互體驗(yàn)

標(biāo)配：RS232接口

選配：RS485/USB 雙模通信

圖形化界面：顯示測試結(jié)果變化趨勢，實(shí)現(xiàn)電壓電流波形追蹤

典型應(yīng)用場景

賦能新能源核心器件升級(jí)

> 為光伏逆變器、儲(chǔ)能變流器、電動(dòng)汽車充電樁等場景的高壓整流模塊提供：

> ? 漏電流超限預(yù)警 ? 導(dǎo)通損耗精準(zhǔn)評(píng)估 ? 批量一致性篩檢

> 從實(shí)驗(yàn)室研發(fā)到產(chǎn)線質(zhì)檢，全程守護(hù)器件高可靠、低損耗的核心指標(biāo)！

? 功率半導(dǎo)體器件（IGBT/MOSFET）特性分析

? 高壓電容/絕緣材料漏電流測試

? 光伏二極管耐壓可靠性驗(yàn)證

? 科研級(jí)微電流檢測（傳感器/生物醫(yī)療設(shè)備）

DCW滿載電壓紋波波形：輸出電壓9.3kV，電流1.980mA

正向壓降測試曲線波形：輸出從1mA到2A

反向漏電流測試曲線：測試電壓從0.1kV到10kV

技術(shù)參數(shù)基本指標(biāo)

上一條：沒有了！

下一條：引領(lǐng)高精度大電流測試新時(shí)代 —— CS2560S系列直流低電阻/回路壓降(R-V)測試儀

變壓器及互感器的感應(yīng)耐壓試驗(yàn)（含飛弧防護(hù)驗(yàn)證）是確保設(shè)備絕緣系統(tǒng)可靠性的核心試驗(yàn)項(xiàng)目。變壓器繞組的匝間、層間、段間及相間的縱絕緣感應(yīng)耐壓試驗(yàn)，是評(píng)估變壓器內(nèi)部絕緣性能的關(guān)鍵測試

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